Electrical and photoelectrical properties of CdS/Cd1-xMnxTe heterojunction at different temperatures from 293 K to 393 K were studied. The potential barrier at 293 K makes 0,78 V and is linearly decreasing with temperature increase with a temperature coefficient of 5,5·10-3 V·K-1. From lnIinv= f(1/T) dependence at U=1V the activation energy of 0,61 eV was determined. CdS/Cd0,6Mn0,4Te heterojunction spectral sensitivity at 300 K covers the wavelength region.
În intervalul de temperaturi de la 293K până la 393K au fost cercetate proprietăţile electrice şi fotoelectrice ale heterojoncţiunilor CdS/Cd1-xMnxTe. La 293K potenţialul de difuzie constituie 0,78 V şi cu creşterea temperaturii mărimea lui se micşorează linear cu coeficientul
termic egal cu 5,5·10-3 V·K-1. Din dependenţa lnIinv= f(1/T) la tensiunea de 1V a fost determinată energia de activare care este egală cu 0,61 eV. Spectrele fotoconductibilităţii denotă că la 300 K heterojoncţiunile CdS/Cd0,6Mn0,4Te sunt fotosensibile în regiunea e lungimi de undă 0,52÷0,83μm.
