dc.contributor.author |
Botnariuc, Vasile |
|
dc.contributor.author |
Gorceac, Leonid |
|
dc.contributor.author |
Coval, Andrei |
|
dc.contributor.author |
Vatavu, Sergiu |
|
dc.contributor.author |
Cinic, Boris |
|
dc.contributor.author |
Rotaru, Corneliu |
|
dc.contributor.author |
Raevschi, Simion |
|
dc.date.accessioned |
2021-09-17T08:08:22Z |
|
dc.date.available |
2021-09-17T08:08:22Z |
|
dc.date.issued |
2021 |
|
dc.identifier.citation |
BOTNARIUC, Vasile; GORCEAC, Leonid, et. al. Dispozitive din fosfură de indiu bazate pe efectul fotovoltaic. In: Studia Universitatis Moldaviae. Seria Ştiinţe Exacte şi Economice: Matematică. Informatică. Fizică. Economie. Revistă științifică. 2021, nr. 2(142), pp. 68-72. ISSN 1857-2073. |
en |
dc.identifier.issn |
1857-2073 |
|
dc.identifier.uri |
https://doi.org/10.5281/zenodo.5094770 |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.usm.md:8080/xmlui/handle/123456789/4774 |
|
dc.description.abstract |
Homo- și heterojoncțiunile din p - InP și n - CdS au fost confecționate aplicând metoda epitaxiei din faza gazoasă în volum deschis, în sistem de cloruri, metoda HVPE (Hydride Vapour Phase Epitaxy) și tehnologia în volum cvasiînchis, în hidrogen. S-a stabilit că eficiența celulelor fotovoltaice pe bază de heterojoncțiuni n+CdS-p-p+InP cu suprafața fotoactivă de 3 cm2 și pe homojoncțiuni n+- p- p+InP (1 cm2) constituie 12% și,respectiv, 7,3% în condiții de iluminare standard, AM1 (1000 Wm-2). Eficiența cuantică externă maximală constituie 75-80% pentru heterojoncțiunea n+CdS - p- p+
InP și 70% pentru homojoncțiunea n+-p-p+InP în intervalul (600-900) nm al spectrului electromagnetic. Fotosensibilitatea absolută maximă de 0,51 A/W este caracteristică pentru heterojoncțiunea n+CdS - p- p+InP cu strat epitaxial intermediar(p = 6,51016 cm-3). Astfel de heterojoncțiuni pot fi utilizate pentru elaborarea fotodetectorilor în intervalul VIS. |
en |
dc.description.abstract |
Homo- and hetero-junctions of p-InP and n-CdS were made by applying the methods of open volume gas phase epitaxy, chloride system, HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy), and quasi-closed volume in hydrogen. It was established that the efficiency of photovoltaic cells based on hetero-n + CdS-p-p+InP junctions with active photo surface of 3 cm2and onhomo n+- p- p+InP junctions (1 cm2) is 12% and, respectively, 7.3% under standard lighting conditions, AM1 (1000 W. m-2).The maximum external quantum efficiency is 75-80% for the hetero n+CdS - p- p+InP junction and 70% for the n+
-p-p+InPhomo junction in the range (600-900) nm of the electromagnetic spectrum. The maximum absolute photosensitivity of 0.51 A/W is characteristic for the hetero junction n+CdS - p- p+InP with intermediate epitaxial layer (p = 6,51016 cm-3).Such hetero junctions can be used for the development of photo detectors in the VIS range. |
|
dc.language.iso |
ro |
en |
dc.publisher |
CEP USM |
en |
dc.subject |
InP, CdS |
en |
dc.subject |
HVPE |
en |
dc.subject |
epitaxie |
en |
dc.subject |
celulă fotovoltaică |
en |
dc.subject |
fotodetector |
en |
dc.subject |
fotosensibilitate |
en |
dc.subject |
epitaxy |
en |
dc.subject |
photovoltaic cell |
en |
dc.subject |
photo detector |
en |
dc.subject |
photosensitivity |
en |
dc.title |
DISPOZITIVE DIN FOSFURĂ DE INDIU BAZATE PE EFECTUL FOTOVOLTAIC |
en |
dc.title.alternative |
INDIUM PHOSPHORUS DEVICES BASED ON THE PHOTOVOLTAIC EFFECT |
en |
dc.type |
Article |
en |