DISPOZITIVE DIN FOSFURĂ DE INDIU BAZATE PE EFECTUL FOTOVOLTAIC

Abstract

Homo- și heterojoncțiunile din p - InP și n - CdS au fost confecționate aplicând metoda epitaxiei din faza gazoasă în volum deschis, în sistem de cloruri, metoda HVPE (Hydride Vapour Phase Epitaxy) și tehnologia în volum cvasiînchis, în hidrogen. S-a stabilit că eficiența celulelor fotovoltaice pe bază de heterojoncțiuni n+CdS-p-p+InP cu suprafața fotoactivă de 3 cm2 și pe homojoncțiuni n+- p- p+InP (1 cm2) constituie 12% și,respectiv, 7,3% în condiții de iluminare standard, AM1 (1000 Wm-2). Eficiența cuantică externă maximală constituie 75-80% pentru heterojoncțiunea n+CdS - p- p+ InP și 70% pentru homojoncțiunea n+-p-p+InP în intervalul (600-900) nm al spectrului electromagnetic. Fotosensibilitatea absolută maximă de 0,51 A/W este caracteristică pentru heterojoncțiunea n+CdS - p- p+InP cu strat epitaxial intermediar(p = 6,51016 cm-3). Astfel de heterojoncțiuni pot fi utilizate pentru elaborarea fotodetectorilor în intervalul VIS.

Homo- and hetero-junctions of p-InP and n-CdS were made by applying the methods of open volume gas phase epitaxy, chloride system, HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy), and quasi-closed volume in hydrogen. It was established that the efficiency of photovoltaic cells based on hetero-n + CdS-p-p+InP junctions with active photo surface of 3 cm2and onhomo n+- p- p+InP junctions (1 cm2) is 12% and, respectively, 7.3% under standard lighting conditions, AM1 (1000 W. m-2).The maximum external quantum efficiency is 75-80% for the hetero n+CdS - p- p+InP junction and 70% for the n+ -p-p+InPhomo junction in the range (600-900) nm of the electromagnetic spectrum. The maximum absolute photosensitivity of 0.51 A/W is characteristic for the hetero junction n+CdS - p- p+InP with intermediate epitaxial layer (p = 6,51016 cm-3).Such hetero junctions can be used for the development of photo detectors in the VIS range.