Browsing 2. Articole by Author "Botnariuc, Vasile"

Browsing 2. Articole by Author "Botnariuc, Vasile"

Sort by: Order: Results:

  • CELULE FOTOVOLTAICE CU HETEROJONCȚIUNEA n+CdS-p o -p + InP: APLICĂRI TEHNOLOGICE, METODE ŞI REZULTATE ALE CERCETĂRILOR 
    Botnariuc, Vasile; Gagara, Ludmila; Gorceac, Leonid; Cinic, Boris; Covali, Andrei; Raevschi, Simion; Rotaru, Cornel (CEP USM, 2018)
    Au fost obținute celule fotovoltaice (CF) cu heterojoncțiunea nCdS-pInP și strat intermediar epitaxial po InP, fiind cercetate proprietățile lor electrice și fotoelectrice. Grosimile straturilor pInP și al celui frontal ...
  • CELULE FOTOVOLTAICE CU HETEROJONCŢIUNEA nCdS-pInP 
    Botnariuc, Vasile; Gașin, Petru; Gorceac, Leonid; Inculeț, Ion; Cinic, Boris; Covali, Andrei; Raevschi, Simion (CEP USM, 2015)
    Au fost studiate proprietăţile electrice şi fotoelectrice ale heterojoncţiunilor nCdS-pInP cu şi fărăstrat epitaxial intermediar poInP. S-a stabilit că la polarizări directe în mecanismul de transport al curentului ...
  • CELULE FOTOVOLTAICE CU HOMOJONCŢIU.NE DIN InP: REZULTATE ŞI COMPARĂRI 
    Botnariuc, Vasile; Gașin, Petru; Gorceac, Leonid; Cinic, Boris; Coval, Andrei; Raevschi, Simion (CEP USM, 2016)
    Au fost obţinute homojoncţiuni n-pInP cu strat intermediar p-InP crescut repetat prin metoda HVPE cu sau fără strat frontal nCdS şi au fost cercetate proprietăţile electrice şi fotoelectrice ale acestora. S-a constatat că ...
  • CELULE SOLARE CU HOMOJONCIUNE DIN FOSFURĂ DE INDIU 
    Botnariuc, Vasile; Gorceac, Leonid; Cinic, Boris; Coval, Andrei; Inculeț, Ion; Raevschi, Simion (CEP USM, 2013)
    Homojoncţiunea p+-p--n+InPcu şi fără strat frontal nCdS a fost obţinută aplicând metoda de epitaxie din faza gazoasă în sistemul In -PCl3-H2(p-InP, n+InP) şi metoda de volum cvasiînchis (nCdS). La studierea proprietăţilor ...
  • CERCETAREA CAPACITĂȚII ȘI CONDUCTIBILITĂȚII ELECTRICE ALE JONCȚIUNILOR DIN P-INP 
    Botnariuc, Vasile; Gagara, Ludmila; Gorceac, Leonid; Cinic, Boris; Covali, Andrei; Raevschi, Simion; Rotaru, Cornel (CEP USM, 2017)
    Au fost studiate caracteristicile capacitate-tensiune-conductabilitate-frecvenţă ale homojoncţiunilor n+-p-p+InP cu şi fără strat frontal n+CdS obţinute cu aplicarea tehnologiilor din faza gazoasă în sistemul In-PCl3-H2 ...
  • CERCETAREA CELULELOR SOLARE CU HETEROJONCŢIUNEA nCdS-pInP 
    Gorceac, Leonid; Botnariuc, Vasile; Raevschi, Simion; Coval, Andrei; Chitoroagă, Andrei (CEP USM, 2009)
    Photoelectrical dependencies of nCdS-pInP solar cells, as a function of electro physical parameters, crystallographic orientation of InP substrate and of the deposition duration of the nCdS epitaxial for layer are presented. ...
  • CERCETĂRI XRD ȘI XPS ALE STRATURILOR DE AlN, AlGaN, GaN DEPUSE PE SILICIU PRIN METODA HVPE 
    Raevschi, Simion; Spalatu, Nicolae; Botnariuc, Vasile; Gorceac, Leonid; Potlog, Tamara; Dobromir, Marius (CEP USM, 2018)
    Prin metoda reacțiilor chimice de transport HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) in sistemul (H2-NH3-HCl-Al-GaSi) au fost sintetizate straturi subțiri de AlN, AlGaN, GaN pe substraturi de siliciu, Si(111). Morfologia ...
  • DISPOZITIVE DIN FOSFURĂ DE INDIU BAZATE PE EFECTUL FOTOVOLTAIC 
    Botnariuc, Vasile; Gorceac, Leonid; Coval, Andrei; Vatavu, Sergiu; Cinic, Boris; Rotaru, Corneliu; Raevschi, Simion (CEP USM, 2021)
    Homo- și heterojoncțiunile din p - InP și n - CdS au fost confecționate aplicând metoda epitaxiei din faza gazoasă în volum deschis, în sistem de cloruri, metoda HVPE (Hydride Vapour Phase Epitaxy) și tehnologia în volum ...
  • ELECTRICAL PROPERTIES OF THERMAL ANNEALED IN VACUUM SPRAY DEPOSITED AL-DOPED ZnO THIN FILMS 
    Potlog, Tamara; Lungu, Ion; Raevschi, Simion; Botnariuc, Vasile; Robu, Stephan; Worasawat, Suchada; Mimura, Hidenori (Springer Nature, 2020)
    Al-doped ZnO thin films have been prepared by spray pyrolysis, which facilitates the incorporation of a higher percentage of dopant atoms. The vacuum thermally annealed at 420 °C temperature thin films have been characterized ...
  • EVOLUAREA PARTICULELOR DISPERSATE DE AlN DEPUSE PE Si PRIN METODA HVPE LA ETAPA DE FORMARE A STRATULUI CONTINUU 
    Raevschi, Simion; Kompan, Mihail; Zhilyaev, Yurii; Gorceac, Leonid; Botnariuc, Vasile (CEP USM, 2011)
    Evolution of growth of the disperse particles of AlN which has been grown up on substrates of silicon during formation of a continuous layer are studies by AFM (Atomic Force Microscopy ) method. Layers have been grown up ...
  • FOTODETECTOR PE HETEROJONCȚIUNE DIN FOSFURĂ DE INDIU 
    Gorceac, Leonid; Botnariuc, Vasile; Coval, Andrei; Vatavu, Sergiu; Cinic, Boris; Raevschi, Simion; Rotaru, Corneliu (CEP USM, 2020)
  • GROWTH OF P-GAN ON SILICON SUBSTRATES WITH ZNO BUFFER LAYERS 
    Raevschi, Simion; Gorceac, Leonid; Botnariuc, Vasile; Branişte, Tudor (Springer Nature, 2020)
    GaN layers on Silicon with ZnO intermediate layer were synthesized by using the HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) method. ZnO layers were deposited from solutions of zinc compounds in ethanol or water in two steps. At the ...
  • INFLUIENŢA TRATĂRII TERMICE ÎN AZOT SAU ÎN VID ASUPRA PROPRIETĂŢILOR STRATURILOR DE GaN CRESCUTE PE Si(111) PRIN METODA HVPE 
    Botnariuc, Vasile; Cinic, Boris; Coval, Andrei; Gașin, Petru; Gorceac, Leonid; Raevschi, Simion (CEP USM, 2015)
    A fost studiată influenţa tratării termice la temperaturi ridicate în azot sau în vid asupra proprietăţilor straturilor de GaN depuse pe siliciu prin metoda reacţiilor chimice de transport în sistemul (H2-NH3-HCl-Ga-Al), ...
  • OBŢINEREA STRATURILOR AlN PE Si PRIN METODA HVPE ŞI CERCETAREA PROPRIETĂŢILORLOR 
    Raevschi, Simion; Davydov, Valerii; Zhilyaev, Yurii; Gorceac, Leonid; Botnariuc, Vasile (CEP USM, 2008)
    AlN layers on Si(111) were fabricated by Hydride Vapor Phase Eptaxy (HVPE). The obtained layers were studied by using Raman spectroscopy and by scanning electron microscope (SEM). The layers surface is structured. The Raman ...
  • PROPRIETĂȚILE FIZICE ALE STRATURILOR DE ZnO PREPARATE PE Si PRIN METODA HIDROTERMALĂ 
    Raevschi, Simion; Gorceac, Leonid; Botnariuc, Vasile; Braniște, Tudor; Vatavu, Sergiu (CEP USM, 2020)
    Straturi subțiri, de nucleație și proprii, de ZnO au fost sintetizate pe Si prin metoda hidrotermală din soluțiile compușilor zincului folosindu-se solvenții: apă, apă + etanol, apă + metanol, apă + propanol, apă + ...
  • PROPRIETĂŢI ELECTROFIZICE ALE STRATURILOR DE CdS OBŢINUTE PRIN METODA PULVERIZĂRII CU TRATARE TERMICĂ ÎN HIDROGEN 
    Botnariuc, Vasile; Gorceac, Leonid; Coval, Andrei; Cinic, Boris; Chetruș, Petru; Raevschi, Semion; Banu, Simion (CEP USM, 2012)
    Prin metoda pulverizării chimice au fost crescute straturi de CdS din soluţii apoase de CdCl2/(NH2)2 CS cu molaritatea de 0,1 M în intervalul de temperaturi (250...450)°C. Straturile au fost tratate termic în flux de ...
  • STANAT DE CADMIU OBŢINUT PRIN METODA PULVERIZĂRII 
    Botnariuc, Vasile; Gorceac, Leonid; Coval, Andrei; Inculeţ, Ion; Chetruş, Petru; Raevschi, Simion (CEP USM, 2013-09-26)
  • STRATURI CdS CRESCUTE PE SUPORTURI DE STICLĂ PRIN METODA PULVERIZĂRII 
    Botnariuc, Vasile; Gorceac, Leonid; Coval, Andrei; Chetruș, Petru; Cinic, Boris; Raevschi, Simion; Micli, Valdec (CEP USM, 2012)
    CdS layers were grown from aqueous solutions of cadmium chlorine (CdCl2) and thyourine (NH2)2 CS with the molarity of 0,1 M by pulverization method in the temperature range of (250...450)°C. CdS layers were grown on glass ...
  • STRATURI EPITAXIALE OMOGENE DE CdS OB ŢINUTE PE InP ÎN HIDROGEN 
    Raevschi, Simion; Gorceac, Leonid; Gaugaş, Petru; Botnariuc, Vasile (CEP, 2007)
    Epitaxial layers of the CdS on InP in the open flowing hydrogen system are obtained. Efficiency of zone method growth from a gas phase is shown at deposition of the homogeneous layers of large area.
  • STRATURI NANOMETRICE DE STANAT DE CADMIU PENTRU CELULE FOTOVOLTAICE 
    Botnariuc, Vasile; Gorceac, Leonid; Covali, Andrei; Cinic, Boris; Chetruș, Petru; Inculeț, Ion (CEP USM, 2014)
    Obiectivele acestei lucrări rezidă în stabilirea condiţiilor tehnologice optime de depunere a straturilor de stanat de cadmiu (Cd2SnO4) prin metoda pulverizării pe substraturi de sticlă şi de fosfură de indiu (InP) şi în ...

Search DSpace


Advanced Search

Browse

My Account