Straturi subțiri, de nucleație și proprii, de ZnO au fost sintetizate pe Si
prin metoda hidrotermală din soluțiile compușilor zincului folosindu-se solvenții: apă, apă + etanol, apă + metanol, apă + propanol, apă + acetonă, etanol, propanol, metanol.La prepararea straturilor de nucleație s-a folosit acetatul de zinc dihidrat, Zn(CH3COO)2·2H2O. Depunerea straturilor proprii de ZnO pe structurile
nucleatea avut loc prin fierberea lor în soluție apoasă de Zn(NO
3)2+ KOH. În lucrare sunt date caracterizări structurale și morfologice ale straturilor buffer obținute,fiind demonstrată eficiența stratului buffer în
prepararea straturilor de GaN.
The nucleation and proper ZnO thin layers on Si substrates
were synthesized by the hydrothermal method from the
solutions of zinc compounds by using different solvents such as: water, water + ethanol, water + methanol, water +
propanol, water + acetone, ethanol, propanol, methanol. Dehydrated zinc acetate, Zn(CH3COO)2·2H2O, was used for
the preparation of ZnO nucleation layers . The deposition of the proper ZnO layers on the nucleated structures is carried
out by boiling them in the Zn(NO3)2 + KOH aqueous solution. The structural and morphological characterisations of
the obtained buffer layers are given in the paper. The efficiency of ZnO buffer layer used in the preparation of GaN
layers is demonstrated as well.
