În lucrare sunt cercetate proprietăţile de polarizare ale purtătorului fototermoplastic în bază flexibilă tereflalat etilenic, cu un strat sensibil la lumină din semiconductor halcogenic sticlos As2Se3(0.5)-As2S3(0.5)şi termoplastic în bază de poliexopropilcarbazol. Sunt studiate proprietăţile de polarizare ale reţelelor interferometrice şi ale hologramelor de fază-relief înregistrate pe purtătorii fototermoplastici.
The polarization properties of the photothermoplastic carrier are studied in this work. The carrier is made up of a photosensitive layer of vitreous chalcogene semiconductor As2Se3(0.5)-As2S
3(0.5) and a photothermoplastic layer of polyexopropilcarbazole base and is sedimented on a flexible support of ethylenterftalat. The polarization properties of the interferometer gratings and relief-phase holograms recorded on this carrier are especially investigated.
