SINTEZA ȘI MORFOLOGIA STRUCTURILOR β-Ga2O3-Ga2S3

Sprincean, Veaceslav

dc.contributor.author	Sprincean, Veaceslav
dc.date.accessioned	2019-12-12T10:26:50Z
dc.date.available	2019-12-12T10:26:50Z
dc.date.issued	2019
dc.identifier.citation	SPRINCEAN, Veaceslav (2019). Sinteza și morfologia structurilor β-Ga2o3-Ga2s3. In: Studia Universitatis Moldaviae. Seria Științe exacte și economice: Matematică. Informatică. Fizică. Economie. Revistă științifică, nr.2 (122), pp.15-22. ISSN 1857-2073	en
dc.identifier.issn	1857-2073
dc.identifier.uri	http://studiamsu.eu/nr-2122/
dc.identifier.uri	http://dspace.usm.md:8080/xmlui/handle/123456789/2385
dc.description.abstract	Prin tratament termic (TT) la temperatura de 970 K, 1070 K și 1170 K timp de 6 ore a nanocristalelor Ga2S3, suprafața acestora se acoperă cu un strat de oxid Ga 2O3, structura și grosimea cărora depind de durata TT. Stratul de oxid este compus din nanoformațiuni insulare poroase, care sunt alcătuite din nanofire și nanocristalite. Dimensiunile nanocristalitelor se micșorează la majorarea temperaturii de călire de la 1070 K la 1170 K.	en
dc.description.abstract	The heat treatment (TT) of Ga2S3nanocrystals at temperatures of 970 K, 1070 K and 1170 K duration of 6 hours forms an oxide film of Ga2O3on the crystal surface, the structure and thickness of which depends on the duration of heat treatment. The oxide layer consists of porous island nanoforms inthe form of nanofibers and nanocrystals. The nanocrystalline size decreases with an increase in heat treatment temperature from 1070K to 1170 K.
dc.language.iso	ro	en
dc.publisher	CEP USM	en
dc.subject	tratament termic	en
dc.subject	nanoformațiuni insulare poroase	en
dc.subject	heat treatment	en
dc.subject	nano - porous island formations	en
dc.subject	nanowires	en
dc.title	SINTEZA ȘI MORFOLOGIA STRUCTURILOR β-Ga2O3-Ga2S3	en
dc.title.alternative	SYNTHESIS AND MORPHOLOGY STUDY OF β - Ga 2 O 3 - Ga 2 S 3 STRUCTURES	en
dc.type	Article	en