dc.contributor.author |
Botnariuc, Vasile |
|
dc.contributor.author |
Gagara, Ludmila |
|
dc.contributor.author |
Gorceac, Leonid |
|
dc.contributor.author |
Cinic, Boris |
|
dc.contributor.author |
Covali, Andrei |
|
dc.contributor.author |
Raevschi, Simion |
|
dc.contributor.author |
Rotaru, Cornel |
|
dc.date.accessioned |
2019-04-17T11:55:25Z |
|
dc.date.available |
2019-04-17T11:55:25Z |
|
dc.date.issued |
2018 |
|
dc.identifier.citation |
BOTNARIUC, V:, GAGARA, L. et al. Celule fotovoltaice cu heterojoncțiunea n+CdS-p o -p + InP: aplicări tehnologice, metode şi rezultate ale cercetărilor. In: Studia Universitatis Moldaviae. Seria Științe exacte și economice: Matematică. Informatică. Fizică. Economie. Revistă științifică. 2018, nr.2 (112), pp. 47-52. ISSN 1857-2073. |
en |
dc.identifier.issn |
1857-2073 |
|
dc.identifier.uri |
http://studiamsu.eu/nr-2-112-2018/ |
|
dc.identifier.uri |
http://dspace.usm.md:8080/xmlui/handle/123456789/2037 |
|
dc.description.abstract |
Au fost obținute celule fotovoltaice (CF) cu heterojoncțiunea nCdS-pInP și strat intermediar epitaxial po
InP, fiind
cercetate proprietățile lor electrice și fotoelectrice. Grosimile straturilor pInP și al celui frontal nCdS au variat respectiv
în intervalul 2,7...6,2 – 0,9...3,6 µm în dependență de durata de depunere. S-a constatat că parametrii fotoelectrici au
valorile maximale pentru grosimile de 4,5...5 µm pentru stratul po
InP și de 0,9 µm pentru stratul nCdS, eficiența maximală a CF cu structura n+CdS-p o
-p
+
InP fiind de 14,6% (100 mWcm-2). |
en |
dc.description.abstract |
Photovoltaic cells (PVC) with nCdS-pInP heterojunction and an intermediate po
InP epitaxial layer were obtained and
their electrical and photoelectric properties were investigated. The thicknesses of the pInP layer and of the nCdS frontal
layer varied in the range of 2.7 to 6.2 μm and 0.9 to 3.6 μm respectively, depending on the deposition time. It was found
that photoelectric parameters have maximum values when the thickness of po
InP layer is of 4.5 ... 5 μm and for nCdS
layer is of 0.9 μm, the maximum efficiency of PCV with the structure n+CdS-p
o
-p
+
InP was of 14.6% (100 mWcm-2
). |
|
dc.language.iso |
ro |
en |
dc.publisher |
CEP USM |
en |
dc.subject |
heterojoncțiune |
en |
dc.subject |
strat epitaxial intermediar/frontal |
en |
dc.subject |
celulă fotovoltaică |
en |
dc.subject |
eficiență |
en |
dc.subject |
fotosensibilitate |
en |
dc.subject |
heterojunction |
en |
dc.subject |
intermediate/frontal epitaxial layer |
en |
dc.subject |
photovoltaic cell |
en |
dc.subject |
efficiency |
en |
dc.title |
CELULE FOTOVOLTAICE CU HETEROJONCȚIUNEA n+CdS-p o -p + InP: APLICĂRI TEHNOLOGICE, METODE ŞI REZULTATE ALE CERCETĂRILOR |
en |
dc.title.alternative |
PHOTOVOLTAIC CELLS WITH n +CdS-p o -p + InP HETEROJUNCTION: TEHNOLOGICAL APPLICATIONS, METHODS AND RESEARCH RESULTS |
en |
dc.type |
Article |
en |