În prezenta lucrare este abordată, în premieră, tehnologia de obtinere a straturilor subțiri și a Celulelor Solare Organice
(OPV) de tip diodă Schottky pe bază de ZnPc procesate în soluție de acid formic (FA) depuse prin metoda picăturii.
Proprietățile structurale și optice ale straturilor subțiri de ZnPc au fost investigate prin difracție cu raze X (XRD),
spectroscopia în infraroșu cu transformata Fourier (FTIR) și spectroscopia UV-VIS. Analiza XRD indică asupra
transformării fazei alfa-beta a ZnPc în faza stabilă beta, datorită tratării termice în atmosferă de H2 la 400oC, timp de 30
de minute. Analiza FTIR indică asupra atașării ionului de formiat (HCOO−
) la Zn(II)Pc. Dispozitivele fotovoltaice
ITO/PEDOT: PSS/ZnPc(I2)/Al de tip diodă Schottky elaborate indică eficiență de 0,3%. Studierea caracteristicilor
current-tensiune la iluminarea 100 mW//cm2
indică tensiunea de circuit deschis 1,03 V și densitatea curentului de
scurtcircuit 8,2 µA/cm2
, valori mai înalte decât cele ale dispozitivelor de tip diodă Schottky obținute prin evaporare
termică în vid
This paper presents for a first time a solution-processable ZnPc thin films from formic acid (FA) solution by drop
casting method and the photovoltaic parameters of the Organic Solar Cells (OPV) based on ZnPc-diode Schottky.
Structural and optical properties of ZnPc thin films were investigated by X-ray diffraction (XRD), Fourier transform
infrared spectroscopy (FTIR) and UV-VIS spectroscopy. XRD analysis show phase transformation of the alpha-beta
phases of ZnPc thin films to beta phase due to the annealing in H2 atmosphere at 400oC for 30 min. FTIR analysis show
that the formate ion (HCOO−
) is attached to Zn(II)Pc. Further on, the prepared ITO/PEDOT: PSS/ZnPc(I2)/Al Schottky
photovoltaic devices show an efficiency of 0.3 %. The study of the current density at the illumination of 100 mW//cm2
indicates the (8.2 µA/cm2
) which are higher than in the case of Schottky diode devices obtained by thermal vacuum
evaporation
