GaSe single crystals doped with Eu (0.025, 0.05, 0.5, 1.0 and 3.0 at%) were grown by Bridgman method using Ga, Se
and Eu elementary components. The crystalline structure and vibration modes of the GaSe: Eu crystals lattice were studied
by X-ray diffraction and Raman spectroscopy. Eu atoms arranged in the van der Waals space of GaSe: Eu crystals form
Eu-Se valence bonds and restructure hexagonal lattice of GaSe leading to EuGa2Se4 crystallites formation. Defects generated by EuGa2Se4 crystallites lead to broadening and shifting of single phonon peaks present in Raman spectra
towards shorter wavenumbers, and at the same time, activate the longitudinal optical vibrations of EuSe sublattice.
Monocristalele de GaSe nedopate și dopate cu Eu în cantități de 0.025, 0.05, 0.5, 1.0 și 3.0% at. au fost crescute prin
metoda Bridgman din componente elementare Ga, Se și Eu. Structura cristalină și modelele de vibrație a rețelei cristalelor
de GaSe:Eu au fost studiate prin difracția razelor X și spectroscopia Raman. Atomii de Eu localizați în spaţiul van
der Waals al cristalelor de GaSe:Eu creează legături de valență Eu-Se și restructurează rețeaua hexagonală a compusului
GaSe, conducând la formarea cristalitelor de EuGa2Se4. Defectele generate de cristalitele de EuGa2Se4 duc la lărgirea și
deplasarea benzilor monofononice de difuzie Raman spre numere de undă mici și, totodată, activează vibraţiile optice
longitudinale ale subreţelei EuSe
