În această lucrare este studiată influenţa interfeţelor din celulele fotovoltaice SnO2/CdS/CdTe
şi SnO2/TiO2/CdS/CdTe asupra parametrilor fotovoltaici ai dispozitivelor respective. A fost determinată starea chimică a elementelor prezente şi compuşii de la interfeţe. S-a constatat că factorul ce micşorează în special densitatea curentului de scurtcircuit în celula solară SnO
2/TiO2/CdS/CdTe este TiS2, care pentru un singur strat de atomi are o bandă interzisă de 1,0 eV. Prin urmare, la interfaţa TiO2/TiS2 se formează o barieră de potenţial care duce la micşorarea concentraţiei purtătorilor de sarcinăşi, respectiv, la micşorarea eficienţei deconversie a energiei solare în energie electrică
În this paper the study of the influence of interfaces from SnO2/CdS/CdTe and SnO2/TiO2/ CdS / CdTe photovoltaic devices on photovoltaic parameters of the devices are discussed. It was determined the chem
ical status of elements and compounds present at the interface. It was
established that the factor that lower especially short-circuit current density
in the SnO2/TiO2/ CdS /CdTe solar cell is TiS2 which for a single atomic layer has a band gap of 1.0 eV. Thus, TiO2/TiS2interface potential barrier is formed which leads to decrease of the concentration of charge carriers, and respectively, to the decrease of the efficiency of solar energy conversion into electricity.
