CELULE SOLARE CU HOMOJONCIUNE DIN FOSFURĂ DE INDIU

Abstract

Homojoncţiunea p+-p--n+InPcu şi fără strat frontal nCdS a fost obţinută aplicând metoda de epitaxie din faza gazoasă în sistemul In -PCl3-H2(p-InP, n+InP) şi metoda de volum cvasiînchis (nCdS). La studierea proprietăţilor electrice şi fotoelectrice ale acestor structuri s-a constatat că fotosensibilitatea a crescutcu două ordine,iar eficienţa CS este de 12% pentru homo structura cu strat frontal nCdS. Aceasta se datorează micşorării recombinării purtătorilor de sarcină minoritari la suprafaţă şi particularităţilor proprietăţilor electrice şi fotoelectrice ale acestor structuri.

p + - p - - n + InP homo - junction with or without nCdS frontal layer was obtained by gaseous phase epitaxy meth od in a In - PCl 3 - H 2 (p - InP, n + InP) system and by quasi - closed volume method (nCdS). From the studies of electrical and photo - electrical properties of these structures it h as been established that their photo - sensitivity increases by two orders of magnitude and the SC efficiency is of 12% for the homo - structure with nCdS frontal layer, due to the diminishing of minority charge carriers surface recombination and the peculiarities of electrical and photo - electrical properties of these structures.