Homojoncţiunea p+-p--n+InPcu şi fără strat frontal nCdS a fost obţinută aplicând metoda
de epitaxie din faza gazoasă în sistemul In -PCl3-H2(p-InP, n+InP) şi metoda de volum cvasiînchis (nCdS). La studierea proprietăţilor electrice şi fotoelectrice ale acestor structuri s-a constatat că fotosensibilitatea a crescutcu două ordine,iar eficienţa
CS este de 12% pentru homo structura cu strat frontal nCdS. Aceasta se datorează
micşorării recombinării purtătorilor de sarcină minoritari la suprafaţă şi particularităţilor proprietăţilor electrice şi fotoelectrice ale acestor structuri.
p
+
-
p
-
-
n
+
InP
homo
-
junction with or without nCdS frontal layer was obtained by gaseous phase epitaxy meth
od in a
In
-
PCl
3
-
H
2
(p
-
InP, n
+
InP)
system and by quasi
-
closed volume method (nCdS). From the studies of electrical and photo
-
electrical properties of these structures it
h
as
been
established that their photo
-
sensitivity increases by two orders of
magnitude
and the SC efficiency is of 12% for the homo
-
structure with nCdS frontal layer, due to the diminishing of
minority charge carriers surface recombination and the peculiarities of electrical and photo
-
electrical properties of these
structures.