Abstract:
În lucrare au fost aplicate metodele de măsurare (XRD, GI-XRD, XRR etc.) bazate pe
interacțiunea razelor X cu materialele cristaline cu diferită dimensionalitate și structură:
pulbere (CdSe(c)), nanopulbere (CdSe), straturi subțiri semiconductoare policristaline
(ZnSnN2/glass și Ga2S3/pSi), strat epitaxial (CaF2), suprarețea (PbTe/SnTe/Si(111)). A fost
realizat studiul proprietăților fizice în funcție de parametrii tehnologici pentru: filmele ZnSnN
2 – ținte cu diferită concentrație atomară de Zn și Sn, diferite temperaturi ale suportului
de sticlă; nanopulberi de CdSe – diferit timp de sintentizare; straturile subțiri semiconductoare
policristaline Ga2S3/pSi – diferite temperaturi ale suportului și cicluri de depunere.
Pentru măsurarea probelor s-a utilizat difractometrul Panalytical Empyrean cu geometria
Bragg-Brentano cu tubul de raze X cu anod de Cu(λKα1=1,540598Å, λKα2=1,5444260Å).
