Browsing by Author "Raevschi, Simion"

Browsing by Author "Raevschi, Simion"

Sort by: Order: Results:

  • Botnariuc, Vasile; Gagara, Ludmila; Gorceac, Leonid; Cinic, Boris; Covali, Andrei; Raevschi, Simion; Rotaru, Cornel (CEP USM, 2018)
    Au fost obținute celule fotovoltaice (CF) cu heterojoncțiunea nCdS-pInP și strat intermediar epitaxial po InP, fiind cercetate proprietățile lor electrice și fotoelectrice. Grosimile straturilor pInP și al celui frontal ...
  • Botnariuc, Vasile; Gașin, Petru; Gorceac, Leonid; Inculeț, Ion; Cinic, Boris; Covali, Andrei; Raevschi, Simion (CEP USM, 2015)
    Au fost studiate proprietăţile electrice şi fotoelectrice ale heterojoncţiunilor nCdS-pInP cu şi fărăstrat epitaxial intermediar poInP. S-a stabilit că la polarizări directe în mecanismul de transport al curentului ...
  • Botnariuc, Vasile; Gașin, Petru; Gorceac, Leonid; Cinic, Boris; Coval, Andrei; Raevschi, Simion (CEP USM, 2016)
    Au fost obţinute homojoncţiuni n-pInP cu strat intermediar p-InP crescut repetat prin metoda HVPE cu sau fără strat frontal nCdS şi au fost cercetate proprietăţile electrice şi fotoelectrice ale acestora. S-a constatat că ...
  • Botnariuc, Vasile; Gorceac, Leonid; Cinic, Boris; Coval, Andrei; Inculeț, Ion; Raevschi, Simion (CEP USM, 2013)
    Homojoncţiunea p+-p--n+InPcu şi fără strat frontal nCdS a fost obţinută aplicând metoda de epitaxie din faza gazoasă în sistemul In -PCl3-H2(p-InP, n+InP) şi metoda de volum cvasiînchis (nCdS). La studierea proprietăţilor ...
  • Raevschi, Simion; Spalatu, Nicolae; Botnariuc, Vasile; Gorceac, Leonid; Potlog, Tamara; Dobromir, Marius (CEP USM, 2018)
    Prin metoda reacțiilor chimice de transport HVPE (Hydride Vapor Phase Epitaxy) in sistemul (H2-NH3-HCl-Al-GaSi) au fost sintetizate straturi subțiri de AlN, AlGaN, GaN pe substraturi de siliciu, Si(111). Morfologia ...
  • Botnariuc, Vasile; Cinic, Boris; Coval, Andrei; Gașin, Petru; Gorceac, Leonid; Raevschi, Simion (CEP USM, 2015)
    A fost studiată influenţa tratării termice la temperaturi ridicate în azot sau în vid asupra proprietăţilor straturilor de GaN depuse pe siliciu prin metoda reacţiilor chimice de transport în sistemul (H2-NH3-HCl-Ga-Al), ...