Browsing by Author "Gașin, Petru"

Browsing by Author "Gașin, Petru"

Sort by: Order: Results:

  • THE ANALYSIS OF CURRENT FLOW MECHANISM IN CDS/CDTE HETEROJUNCTION 
    Vatavu, Sergiu; Gașin, Petru (Elsevier, 2007)
    An analysis of current–voltage dependencies of CdS/CdTe heterojunction in the 78–370 K temperature range has been carried out. According to this analysis the current flow mechanism is determined by the tunneling processes ...
  • CELULE FOTOVOLTAICE CU HETEROJONCŢIUNEA nCdS-pInP 
    Botnariuc, Vasile; Gașin, Petru; Gorceac, Leonid; Inculeț, Ion; Cinic, Boris; Covali, Andrei; Raevschi, Simion (CEP USM, 2015)
    Au fost studiate proprietăţile electrice şi fotoelectrice ale heterojoncţiunilor nCdS-pInP cu şi fărăstrat epitaxial intermediar poInP. S-a stabilit că la polarizări directe în mecanismul de transport al curentului ...
  • CELULE FOTOVOLTAICE CU HOMOJONCŢIU.NE DIN InP: REZULTATE ŞI COMPARĂRI 
    Botnariuc, Vasile; Gașin, Petru; Gorceac, Leonid; Cinic, Boris; Coval, Andrei; Raevschi, Simion (CEP USM, 2016)
    Au fost obţinute homojoncţiuni n-pInP cu strat intermediar p-InP crescut repetat prin metoda HVPE cu sau fără strat frontal nCdS şi au fost cercetate proprietăţile electrice şi fotoelectrice ale acestora. S-a constatat că ...
  • THE COPPER INFLUENCE ON THE PL SPECTRA OF CDTE THIN FILM AS A COMPONENT OF THE CDS/CDTE HETEROJUNCTION 
    Vatavu, Sergiu; Zhao, Hehong; Caraman, Iuliana; Gașin, Petru; Ferekides, Chris (Elsevier, 2009)
    The influence of annealing in the presence of CdCl2 and a thin copper layer deposited onto CdTe on the photoluminescence spectra of CdTe, as a component of CdS/CdTe heterojunction, has been studied for two excitation ...
  • CURRENT FLOW MECHANISM IN ZnSe-ZnO-Pd STRUCTURES 
    Scurtu, Roman; Gașin, Petru; Chetruș, Petru (CEP USM, 2010)
    Structurile MOS au fost obţinute folosind ca suporturi plăcuţe monocristaline de ZnSe orientate în direcţia [110] cu grosimea 3-5mm. Monocristalele de ZnSe au fost tratate în zinc +0,1%Al la 950ºC timp de 100 ore, în vid. ...
  • GROWTH AND CHARACTERIZATION OF Eu DOPED GaSe SINGLE CRYSTALS BY X-RAY DIFFRACTION AND RAMAN SPECTROSCOPY 
    Untila, Dumitru; Evtodiev, Igor; Caraman, Iuliana; Kantser, Valeriu; Spalatu, Nicolae; Dmitroglo, Liliana; Evtodiev, Silvia; Spoială, Dorin; Rotaru, Irina; Gașin, Petru (CEP USM, 2017)
    GaSe single crystals doped with Eu (0.025, 0.05, 0.5, 1.0 and 3.0 at%) were grown by Bridgman method using Ga, Se and Eu elementary components. The crystalline structure and vibration modes of the GaSe: Eu crystals lattice ...
  • INFLUIENŢA TRATĂRII TERMICE ÎN AZOT SAU ÎN VID ASUPRA PROPRIETĂŢILOR STRATURILOR DE GaN CRESCUTE PE Si(111) PRIN METODA HVPE 
    Botnariuc, Vasile; Cinic, Boris; Coval, Andrei; Gașin, Petru; Gorceac, Leonid; Raevschi, Simion (CEP USM, 2015)
    A fost studiată influenţa tratării termice la temperaturi ridicate în azot sau în vid asupra proprietăţilor straturilor de GaN depuse pe siliciu prin metoda reacţiilor chimice de transport în sistemul (H2-NH3-HCl-Ga-Al), ...
  • THE INVESTIGATION OF TCO/CdS/CdTe HETEROJUNCTIONS BY C-U and C-f MEASUREMENTS: EXPERIMENT AND MODELING 
    Rotaru, Corneliu; Vatavu, Sergiu; Fedorov, Vladimir; Gașin, Petru; Lux-Steiner, Martha; Ferekides, Chris; Rusu, Marin (IEEE, 2013)
    The paper presents the analysis of C-U and C-f data obtained in the 1 kHz-10 MHz range for CdS/CdTe heterojunctions prepared by CSS onto (ZnO:Al, ZnO:Al/i-ZnO)/Glass substrates. An attempt to model the physical properties ...